20av(20n60c参数)

老铁们，大家好，相信还有很多朋友对于20av和20n60c参数的相关问题不太懂，没关系，今天就由我来为大家分享分享20av以及20n60c参数的问题，文章篇幅可能偏长，希望可以帮助到大家，下面一起来看看吧！

me20n10参数

回答如下：ME20N10是一种N沟道MOSFET，其参数如下：

1.最大漏极电压：100V

2.最大漏极电流：20A

3.典型电源电压：-10V

4.典型漏极电阻：0.026Ω

5.典型门极电荷：55nC

6.典型静态电容：940pF

7.封装类型：TO-252（DPAK）或TO-220

这些参数是参考值，实际使用时应该查看数据手册以获取更准确的参数。

20n60c参数

PD最大耗散功率：55.5W

ID最大漏源电流：20A

V(BR)DSS漏源击穿电压：600V

RDS(ON)Ω内阻：0.19Ω

VRDS(ON)ld通态电流：10A

VRDS(ON)栅极电压：10V

VGS(th)V开启电压：2~4V

VGS(th)ld(μA)开启电流：250μA

12v12a和12v20a的区别

它们的区别是电流不同，v表示电压，单位：伏。a表示电流，单位是：安（安培）。12v20s即电压12伏电流12安，12v20a即电压12伏电流20安，相同的电压下，后者的电流多20-12=8安。在数学中，它们的区别是系数不同，12v12a即12＊12av=144av，12v20a即12＊20av=240av，这两个同类项的差是：240av-144av=96av。

nce0202za场效应管参数

最大耗散功率：45W

ID最大漏源电流：20A

V(BR)DSS漏源击穿电压：60V

RDS(ON)Ω内阻：0.035Ω

VRDS(ON)ld通态电流：20A

VRDS(ON)栅极电压：10V

VGS(th)V开启电压：1.2~2.5V

VGS(th)ld(μA)开启电流：250μA

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